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CIF---RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)

    CIF推出RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī),采用RIE反應(yīng)離子誘導(dǎo)激發(fā)方式,實(shí)現(xiàn)對(duì)材料表面各向異性的微結(jié)構(gòu)刻蝕。特別適合于大學(xué),科研院所、微電子、半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低,性價(jià)比高,易維護(hù),處理快速高效。

    更新時(shí)間:2025-09-04 09:48:50
  1. 詳細(xì)信息
   CIF 推出 RIE 反應(yīng)離子刻蝕機(jī),采用 RIE 反應(yīng)離子誘導(dǎo)激發(fā)方式,實(shí)現(xiàn)對(duì)材料表面各向異性的微結(jié)構(gòu)刻蝕。特別適合于大學(xué)、科研院所,微電子、半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低,性價(jià)比高,易維護(hù),處理快速高效。適用于所有的基材及復(fù)雜的幾何構(gòu)形進(jìn)行 RIE 反應(yīng)離子刻蝕。
具體包括:
◆ 介電材料(SiO2、SiNx 等)
◆ 硅基材料(Si,a-Si,poly Si)
◆  III-V 材料(GaAs、InP、GaN 等)
◆ 濺射金屬(Au、Pt、Ti、Ta、W 等)
◆ 類金剛石(DLC)
應(yīng)用領(lǐng)域:
主要用于微電子芯片、太陽能電池、生物芯片、顯示器、光學(xué)、通訊等領(lǐng)域的器件研發(fā)和制造。

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